3D封裝是在二維封裝基礎上向空間發(fā)展的高密度封裝技術,該技術通過芯片堆疊或封裝堆疊的方式實現(xiàn)器件功能的增加,不僅能顯著提高封裝密度,還能有效降低封裝成本。在3D封裝制程中,Hybrid bonding混合鍵合技術中D2W或D2D工藝是其核心制程之一,該制程對前道切割段的精度要求、質量要求以及particle管控更為嚴苛。相較于傳統(tǒng)封裝晶圓切割制程中Laser Grooving + Blade Saw方案,Laser Grooving + Plasma Dicing的組合切割方案憑借其優(yōu)異的切割質量及particle管控等獨特的優(yōu)勢,在3D封裝領域日益受到重視與青睞,展現(xiàn)出了非凡的潛力,為3D封裝技術的進一步發(fā)展奠定了堅實的基礎。
· 設備交付現(xiàn)場 ·
大族半導體憑借在激光微加工領域的深厚積淀與卓越洞見,自2018年起便在國內(nèi)率先進行Low-K開槽關鍵技術的研發(fā)并取得突破性成果。近期,我司隆重推出全新一代全自動晶圓激光開槽設備—GV-N3242系列。該設備在開槽質量、開槽精度、潔凈度管控以及材料兼容性方面的大幅躍升,已圓滿通過客戶嚴苛的技術驗證,并完全具備量產(chǎn)能力,贏得了客戶的一致好評與廣泛認可。
· 型號:GV-N3242 ·
用于先進封裝領域,在晶圓表層開槽,輔助Plasma etch切割制程。
? 超快激光器(紫皮/紫飛)+新型光路整形方案,進一步提升開槽品質;超高精度機械/氣浮平臺,進一步提升開槽精度;
? 升級視覺方案,配備超高倍鏡頭(>20x)以及紅外相機(選配),提升視覺識別精度,實現(xiàn)晶圓背面開槽方案;
? 整機壓差、對流以及涂膠清洗腔體設計升級,可滿足百級潔凈度要求,可支持裸晶圓/Frame全自動天車上下料兼容模式。
大族半導體全自動晶圓激光開槽設備GV-N3242的成功推出,以高精度、高效率的特點,為半導體制造業(yè)提供了更為先進、可靠的解決方案,標志著我司在激光切割應用領域的深度探索與創(chuàng)新又前進了堅實的一步。展望未來,大族半導體將持續(xù)在激光切割應用領域深耕細作,為半導體制造業(yè)注入強勁動力,推動整個行業(yè)不斷向前邁進。